[发明专利]一种晶体管、像素单元、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310547551.5 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103545379A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张治超;孙亮;郭总杰;刘正 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，另外还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。通过在栅电极的底部形成栅电极金属层之前预先沉积一层修正电极，增加修正电极层这样一层垫片结构，能够保证光刻胶涂覆之后未曝光之前，光刻胶的表面是一个平面，使得曝光显影之后非薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度与薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度的差值减小了透明电极的厚度，缩小两者的厚度差异，避免薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶偏薄的现象，保证沟道内所有光刻胶厚度的均匀性，降低薄膜晶体管沟道弯曲处开路发生的概率。同时还提供了基于上述薄膜晶体管的像素单元和阵列基板，及基于该阵列基板的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 像素 单元 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，其特征在于，还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。
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