[发明专利]一种晶体管、像素单元、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201310547551.5 | 申请日： | 2013-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN103545379A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张治超;孙亮;郭总杰;刘正 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体管 像素 单元 阵列 显示装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，其特征在于，还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修正电极层设置在非晶体管沟道弯曲处栅电极的底部。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述晶体管沟道弯曲处包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅电极的底部不具有所述修正电极层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修正电极层可用前层金属或非金属膜替换。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述修正电极层的图形为矩形或者不规则形状。
6.一种像素单元，包括像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1-5所述的薄膜晶体管。
7.一种阵列基板，包括基板、薄膜晶体管和钝化层，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1-5所述的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求7所述的阵列基板。
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