[发明专利]一种晶体管、像素单元、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种晶体管、像素单元、阵列基板和显示装置。

背景技术

目前随着应用需求的不断提高，越来越多的领域中使用大尺寸TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器）实现显示，在玻璃基板衬底上制作出TFT，之后再基于上述TFT制作出各层图形，最后得到TFT基板，在TFT基板上TFT主要实现开关作用，液晶显示器上的每一液晶象素点都是由薄膜晶体管TFT来驱动和控制。TFT加工工艺的好坏很关键，因为加工工艺会影响其性能，而TFT性能又会进一步对整个显示器的显示效果产生重要影响。

在玻璃基板上形成各层图形之后，涂覆光刻胶，之后进行曝光、显影，再通过湿法刻蚀等刻蚀方法去掉暴露的掺杂半导体层，露出半导体层，形成TFT沟道，但是现有的加工工艺会导致TFT沟道弯曲处的光刻胶厚度偏薄，导致该TFT沟道经过曝光显影后在TFT沟道弯曲处发生开路。由于在TFT沟道弯曲处发生开路，会改变TFT的宽长比，从而影响TFT的性能。

发明内容

（一）要解决的技术问题

针对上述缺陷，本发明要解决的技术问题是如何保证光刻胶厚度的均匀性，避免TFT沟道弯曲处光刻胶偏薄的现象，减小TFT沟道弯曲处开路的发生。

（二）技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。

进一步地，所述修正电极层设置在非晶体管沟道弯曲处栅电极的底部。

进一步地，所述晶体管沟道弯曲处包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层，所述栅电极的底部不具有所述修正电极层。

进一步地，所述修正电极层可用前层金属或非金属膜替换。

进一步地，所述修正电极层的图形为矩形或者不规则形状。

为解决上述问题，本发明还提供了一种像素单元，包括像素区域的薄膜晶体管、栅线、数据线和像素电极，其中的薄膜晶体管为以上所述的薄膜晶体管。

为解决上述问题，本发明还提供了一种阵列基板，包括基板、薄膜晶体管和钝化层，其中的薄膜晶体管为以上所述的薄膜晶体管。

为解决上述问题，本发明还提供了一种显示装置，包括阵列基板，其中的阵列基板为以上所述的阵列基板。

（三）有益效果

本发明提供了一种薄膜晶体管，除了包括栅电极、栅绝缘层、有源层和源漏极层之外，还包括：修正电极层，设置在所述栅电极的底部。通过在栅电极的底部形成栅电极金属层之前预先沉积一层修正电极层，还可以是前层金属或者非金属膜等其它膜层，增加这样一层垫片结构，能够保证光刻胶涂覆之后未曝光之前，光刻胶的表面是一个平面，使得曝光显影之后非薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度与薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶的厚度的差值减小了透明电极的厚度，缩小两者的厚度差异，避免薄膜晶体管沟道弯曲处光刻胶偏薄的现象，保证沟道内所有光刻胶厚度的均匀性，降低薄膜晶体管沟道弯曲处开路发生的概率。进一步还能增加薄膜晶体管的工作电流I_on、反向截止电流I_off等电学均匀性，这是现有的薄膜晶体管结构所无法实现的。同时本发明还提供了一种基于上述薄膜晶体管的像素单元和阵列基板，以及基于该阵列基板的显示装置。

附图说明

图1为现有技术中薄膜晶体管的组成示意图；

图2为对现有技术中薄膜晶体管的栅线沿着截面A-A剖开得到的示意图；

图3为本发明实施例中提供的一种薄膜晶体管的组成示意图；

图4为对本发明实施例中提供的薄膜晶体管的栅线沿着截面B-B剖开得到的示意图；

图5为对本发明实施例中提供的薄膜晶体管的栅线沿着截面C-C剖开得到的示意图；

图6为本发明实施例中提供的增加不规则形状的修正电极层的组成示意图；

图7为本发明实施例中在TFT沟道弯曲处设置ITO图形的示意图；

图8为对图7沿着C-C和B-B方向剖开得到的示意图；

图9为本发明实施例中在ITO层上分别形成栅电极、栅绝缘层、有源层、掺杂半导体层和源漏电极层后得到的示意图；

图10为对图9沿着C-C和B-B方向剖开得到的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。