[发明专利]一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法无效

专利信息
申请号: 201310547481.3 申请日: 2013-11-07
公开(公告)号: CN103571488A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 韦胜国 申请(专利权)人: 韦胜国
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;C30B15/04;C30B29/28;H01L33/50
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 陈月福
地址: 541001 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明涉及一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法,属于发光材料技术领域,包括如下步骤,采用中频感应提拉法,将Y2O3,Al2O3,CeO2,Eu2O3,Gd2O3粉末在空气中预烧干燥;将粉末混合均匀压成块体,再进行恒温预烧;将块体装入铱坩埚进行晶体生长得到共掺杂单晶荧光材料(Cex,GdyY1-x-y)3Al5O12,x=0.01,y=0.3和(Cex,EuyY1-x-y)3Al5O12,x=y=0.01。本发明制备方法简单,所得共掺杂单晶荧光材料具有较高红光发射能力,可用于制备高显色指数的白光LED。
搜索关键词: 一种 led 掺杂 荧光 材料 制备 方法
【主权项】:
一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法,其特征在于,包括如下步骤:采用中频感应提拉法,将Y2O3,Al2O3,CeO2,Eu2O3,Gd2O3粉末在空气中预烧干燥;将Y2O3,Al2O3,CeO2,Eu2O3,Gd2O3粉末按照质量比为0.69~0.98:1:0.01:0.01:0.3混合均匀压成块体,再进行恒温预烧;将块体装入铱坩埚进行晶体生长得到共掺杂单晶荧光材料(Cex,GdyY1‑x‑y)3Al5O12,x=0.01,y=0.3和(Cex,EuyY1‑x‑y)3Al5O12,x=y=0.01。
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