[发明专利]一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法

权利要求书

1.一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

采用中频感应提拉法，将Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空气中预烧干燥；

将Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末按照质量比为0.69～0.98:1:0.01:0.01:0.3混合均匀压成块体，再进行恒温预烧；

将块体装入铱坩埚进行晶体生长得到共掺杂单晶荧光材料（Ce_x，Gd_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=0.01,y=0.3和（Ce_x，Eu_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=y=0.01。

2.根据权利要求1所述一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法，其特征在于，所述将Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空气中预烧干燥步骤中，所述原料Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃纯度为:Y₂O₃(99.999％)，Al₂O₃(99.999％)，CeO₂(99.999％)，Eu₂O₃(99.99％)，Gd₂O₃(99.99％)。

3.根据权利要求1所述一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法，其特征在于，所述将Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末在空气中预烧干燥步骤中，所述预烧干燥温度为800～1000℃。

4.根据权利要求1所述一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法，其特征在于，所述将Y₂O₃，Al₂O₃，CeO₂，Eu₂O₃,Gd₂O₃粉末按照质量比为0.69～0.98:1:0.01:0.01:0.3混合均匀压成块体，再进行恒温预烧步骤中，所述恒温预烧温度为1200～1400℃，保持10～15h。

5.根据权利要求1至4任一所述一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法，其特征在于，所述将块体装入铱坩埚进行晶体生长得到共掺杂单晶荧光材料（Ce_x，Gd_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=0.01,y=0.3和（Ce_x，Eu_yY_1-x-y）₃Al₅O₁₂，x=y=0.01步骤中，所述晶体生长晶转速率为12～25r/min，生长速率1～2.5mm/h。

6.根据权利要求1至5任一种LED共掺杂单晶荧光材料制备方法所制得的LED共掺杂单晶荧光材料。