[发明专利]MEMS器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310541693.0 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104609358A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 冯霞;黄河;刘煊杰;张海芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件及其形成方法，所述MEMS器件包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域，第一区域的半导体衬底上形成有CMOS器件；覆盖CMOS器件的介质层，第一区域的介质层中形成有与CMOS器件相连的第一互连结构，第二区域的介质层中形成有第二互连结构；位于第一区域的介质层上与第一互连结构相连的第一焊盘，位于第二区域的介质层上与第二互联结构相连的第二焊盘；位于介质层上的MEMS器件，MEMS器件的一端与第一焊盘相连，MEMS器件的另一端与第二焊盘相连；贯穿第二区域半导体衬底和部分介质层与第二互连结构相连的通孔互连结构；位于半导体衬底背面与通孔互连结构相连的凸块。本发明MEMS器件占据的体积小。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一区域和第二区域；在第一区域的半导体衬底的正面上形成CMOS器件；形成覆盖所述半导体衬底和CMOS器件的第一介质层；在第一区域的第一介质层中形成第一插塞，第一插塞与CMOS器件相连；形成贯穿第二区域的第一介质层和部分厚度的半导体衬底的通孔互连结构；形成覆盖所述第一介质层、第一插塞和通孔互连结构的第二介质层，第一区域的第二介质层中形成有第一互连结构，所述第一互连结构与第一插塞相连，第二区域的第二介质层中形成有第二互连结构，第二互连结构与通孔互连结构的顶部表面相连；在第一区域的第二介质层上形成第一焊盘，第一焊盘与第一互连结构相连，在第二区域的第二介质层上形成第二焊盘，第二焊盘与第二互联结构相连；在所述第二介质层上形成MEMS器件，MEMS器件的一端与第一焊盘相连，MEMS器件的另一端与第二焊盘相连；减薄所述半导体衬底的背面，暴露出通孔互连结构的底部表面；在半导体衬底的背面上形成与通孔互连结构的底部表面相连的凸块。
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