[发明专利]晶圆加热装置在审
申请号: | 201310539096.4 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN104617008A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 梁晓东 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及对半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃晶圆进行加热处理的方式,具体地说是一种晶圆加热装置。包括加热装置框架、温控表、红外线测温装置、CPU、加热部、升降驱动部及支撑杆,其中温控表和升降驱动部设置于加热装置框架的底部,所述加热部与升降驱动部连接,所述支撑杆穿过加热部、并固定于加热装置框架上,所述加热部内设有与温控表连接的加热丝;所述加热部通过升降驱动部的驱动上升、并与加热装置框架的顶部接触形成容置晶圆的密封腔室;所述红外线测温装置和CPU设置于加热装置框架的顶部,所述红外线测温装置和温控表均与CPU连接。本发明达到能够自动调节盘体温度,保持晶圆表面温度均匀性一致。 | ||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种晶圆加热装置,其特征在于:包括加热装置框架、温控表(6)、红外线测温装置(1)、CPU(2)、加热部、升降驱动部及支撑杆(9),其中温控表(6)和升降驱动部设置于加热装置框架的底部,所述加热部与升降驱动部连接,所述支撑杆(9)穿过加热部、并固定于加热装置框架上,所述加热部内设有与温控表(6)连接的加热丝(16);所述加热部通过升降驱动部的驱动上升、并与加热装置框架的顶部接触形成容置晶圆(W)的密封腔室;所述红外线测温装置(1)和CPU(2)设置于加热装置框架的顶部,所述红外线测温装置(1)和温控表(6)均与CPU(2)连接,所述红外线测温装置(1)测得密封腔室内晶圆(W)的不同区域温度后把数据传送给CPU(2),经CPU(2)判断后发送信号给温控表(6),温控表(6)会控制加热源不同区域的升降温。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳芯源微电子设备有限公司,未经沈阳芯源微电子设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310539096.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于轴向型二极管制造的周转装置
- 下一篇:晶圆级封装的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造