[发明专利]晶圆加热装置在审
申请号: | 201310539096.4 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN104617008A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 梁晓东 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 | ||
技术领域
本发明涉及对半导体晶片和液晶显示装置用的玻璃晶圆进行加热处理的方式,具体地说是一种晶圆加热装置。
背景技术
一般晶圆加热用的加热装置中为了使晶圆温度保持均匀性一致,在盘体表面加入陶瓷球使得晶圆与盘面之间形成微小缝隙来达到目的,但是温度传感器只有一个点测量,而且不能测得晶圆表面温度,也不能调节温度,结果会导致晶圆中心到边缘温度不一致。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种晶圆加热装置。所述装置达到能够自动调节盘体温度,保持晶圆表面温度均匀性一致。
为了实现上述目的,本发明采用以下技术方案:
一种晶圆加热装置,包括加热装置框架、温控表、红外线测温装置、CPU、加热部、升降驱动部及支撑杆,其中温控表和升降驱动部设置于加热装置框架的底部,所述加热部与升降驱动部连接,所述支撑杆穿过加热部、并固定于加热装置框架上,所述加热部内设有与温控表连接的加热丝;所述加热部通过升降驱动部的驱动上升、并与加热装置框架的顶部接触形成容置晶圆的密封腔室;所述红外线测温装置和CPU设置于加热装置框架的顶部,所述红外线测温装置和温控表均与CPU连接,所述红外线测温装置测得密封腔室内晶圆的不同区域温度后把数据传送给CPU,经CPU判断后发送信号给温控表,温控表会控制加热源不同区域的升降温。
所述加热部包括上热板和下热板,其中下热板的上表面设有螺旋线状凹槽,且由中心向边缘分为多个分区,每个分区内均埋入加热丝,各加热丝通过设置于下热板上的加热丝孔与温控表连接,其中两个分区之间设有多个支撑杆孔,所述上热板的上表面边缘设有用于容置密封圈的凹槽。所述分区包括第一分区、第二分区及第三分区。
所述加热装置框架包括底板、隔热板、上板、侧板及后挡板,其中底板、隔热板及上板由下至上依次设置、并两侧通过侧板连接,所述隔热板和上板的后侧设有后挡板;所述温控表和升降驱动部设置于底板上,所述红外线测温装置和CPU设置于上板上,所述支撑杆底端固定于隔热板上,所述加热部设置于隔热板和上板之间。
所述上板的下方设有盘盖,所述盘盖的下表面设有凹槽,所述加热部上升与盘盖接触,所述加热部的上表面与盘盖下表面的凹槽形成所述容置晶圆的密封腔室。
所述上板和盘盖上设有多个红外线照射孔,所述红外线测温装置发射的红外线光通过红外线照射孔后照射到晶圆的上表面。所述多个红外线照射孔均匀分布在从晶圆中心到边缘的直线上。
所述支撑杆为三个,所述三个支撑杆均布在同一个圆周上,并上端端部位于同一个水平面上。
所述升降驱动部包括气缸和支撑杆,其中气缸固定于所述底板上,所述气缸的输出端与支撑杆的一端连接,所述支撑杆的另一端穿过隔热板上设有的孔与加热部连接。所述支撑杆包括圆形板和细杆,其中细杆的一端与气缸的输出端连接,另一端穿过隔热板上的孔后与圆形板连接,所述圆形板与加热部连接。
本发明的优点与积极效果为:
1.本发明可以测得晶圆表面温度,多点测量可以随时掌握晶圆表面温度的均匀性。
2.本发明可以自动调节控制热板温度,使温度均匀性保持一致,实现了高精度晶圆加热。
3.本发明改善了传统的支撑杆升降结构,使支撑杆固定后,避免了滑片及不水平问题。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
图2为图1的侧视图;
图3为本发明的立体轴视图;
图4为本发明的立体分解图;
图5为下热板的俯视图;
图6为本发明气缸动作后示意图。
其中:1为红外线测温装置,2为CPU,3为下热板,4为上热板,5为气缸,6为温控表,7为电磁阀,8为支撑杆,9为支撑杆,10为盘盖,11为底板,12为隔热板,13为上板,14为侧板,15为后档板,16为加热丝,17为密封圈,18为支撑杆孔,19为加热丝孔,20为红外线照射孔,21为第一分区,22为第二分区,23为第三分区,W为晶圆。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造