[发明专利]一种晶圆检测方法在审
申请号: | 201310538455.4 | 申请日: | 2013-10-31 |
公开(公告)号: | CN104599991A | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 郑岚 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供的一种晶圆检测方法,通过获知晶圆背面金属在温度加速环境中剥落的加速因子,并且获知晶圆背面金属在湿度加速环境中剥落的加速因子,从而计算出晶圆背面金属在加速环境中剥落的综合加速因子,从而就可以计算出晶圆背面金属在常规环境中的存储时间,如此,既可检测出当前背面金属化工艺是否符合要求,又能确定经背面金属化工艺的晶圆具体存储时间的技术问题,较早的获知所生产的晶圆安全使用时间,从而背面金属剥落风险,本发明的检测方法简单易行,可操作性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆检测方法,其特征在于,包括:对晶圆背面进行金属淀积;将背面金属淀积后的晶圆进行正面贴膜并划片;在划片后的晶圆所贴膜上随机定义多个区域,并对所述晶圆进行加速试验;每隔固定时间从所述多个区域提取晶圆的多个管芯;查验所述管芯是否出现膜上金属残留并记录每次试验时间;检测管芯的金属残留信息并获取每次试验中首次出现膜上金属残留的试验时间,即每次加速试验对应条件下的晶圆寿命,以及对应试验数据;根据每次加速试验对应条件下的晶圆寿命及对应试验数据,计算所述加速试验的加速因子;根据所述加速因子计算背面金属淀积的晶圆在常规环境下的可存储时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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