[发明专利]一种晶圆检测方法在审

专利信息
申请号: 201310538455.4 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN104599991A 公开(公告)日: 2015-05-06
发明(设计)人: 郑岚 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 代理人: 庞聪雅
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供的一种晶圆检测方法,通过获知晶圆背面金属在温度加速环境中剥落的加速因子,并且获知晶圆背面金属在湿度加速环境中剥落的加速因子,从而计算出晶圆背面金属在加速环境中剥落的综合加速因子,从而就可以计算出晶圆背面金属在常规环境中的存储时间,如此,既可检测出当前背面金属化工艺是否符合要求,又能确定经背面金属化工艺的晶圆具体存储时间的技术问题,较早的获知所生产的晶圆安全使用时间,从而背面金属剥落风险,本发明的检测方法简单易行,可操作性强。
搜索关键词: 一种 检测 方法
【主权项】:
一种晶圆检测方法,其特征在于,包括:对晶圆背面进行金属淀积;将背面金属淀积后的晶圆进行正面贴膜并划片;在划片后的晶圆所贴膜上随机定义多个区域,并对所述晶圆进行加速试验;每隔固定时间从所述多个区域提取晶圆的多个管芯;查验所述管芯是否出现膜上金属残留并记录每次试验时间;检测管芯的金属残留信息并获取每次试验中首次出现膜上金属残留的试验时间,即每次加速试验对应条件下的晶圆寿命,以及对应试验数据;根据每次加速试验对应条件下的晶圆寿命及对应试验数据,计算所述加速试验的加速因子;根据所述加速因子计算背面金属淀积的晶圆在常规环境下的可存储时间。
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