[发明专利]一种晶圆检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，特别是涉及一种晶圆检测方法。

背景技术

目前，功率器件的导通电阻来源主要于源区电阻，沟道电阻，JFET电阻，漂移层电阻，衬底电阻。其中衬底电阻是硅片自身所具有的电阻，硅片越薄，衬底电阻就越小。因此，对硅片进行减薄工艺是业界目前普遍的做法；减薄工艺是通过对粗糙的磨头施加向下压力，通过磨头和硅片背面的摩擦来进行机械性的打磨，从而使部分硅脱离硅片整体，再用纯水将其清洗干净。功率器件需要在漏端（即硅片背面）增加一层金属层来降低器件的本体电阻和电极的接触电阻，以便电流能够有效的通过功率器件而不产生过大的电能损耗。因此晶圆背面金属的粘附力是表征背面金属质量的关键因素。晶圆背面金属的粘附力决定了晶圆存储时间。

以往只有背面金属粘附力的检测方法，通常是在背面金属化的晶圆背面贴上蓝膜，再对蓝膜上的晶圆进行划片，成为一个个面积大小一致的芯片；将芯片从蓝膜上分离，观察蓝膜上是否有金属层残留，若有金属层残留，表示背面金属化工艺有待优化；若无残留，表示背面金属化工艺符合要求。其中，芯片就是管芯，封装厂叫chip比较多。

这种方法的缺陷在于只能定性地模糊判断背面金属粘附力是否合格，无法定量分析粘附力的实际信息，因此也无法获知晶圆在常规环境下能存储多久。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种晶圆检测方法，用于克服上述晶圆检测中无法定量分析粘附力、无法获知晶圆常规环境存储时间的技术问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种晶圆检测方法，包括：对晶圆背面进行金属淀积；将背面金属淀积后的晶圆进行正面贴膜并划片；在划片后的晶圆所贴膜上随机定义多个区域，并对所述晶圆进行加速试验；每隔固定时间从所述多个区域抽取晶圆的多个管芯，查验所述管芯是否出现膜上金属残留并记录每次试验时间；检测管芯的金属残留信息并获取每次试验中首次出现膜上金属残留的试验时间，即每次加速试验对应条件下的晶圆寿命，以及对应试验数据；根据每次加速试验对应条件下的晶圆寿命及对应试验数据，计算所述加速试验的加速因子；根据所述加速因子计算背面金属淀积的晶圆在常规环境下的可存储时间。

优选的，所述加速试验包括：应力试验、温度试验、湿度试验，其中，所述应力试验包括正常应力条件下的试验，所述温度试验包括大于常规环境条件温度的加速温度、正常温度条件下的试验，所述湿度试验包括在大于常规环境条件湿度的加速湿度、正常湿度条件下的试验。

优选的，所述加速试验的加速因子为温度加速因子乘以湿度加速因子。

优选的，所述温度加速因子根据阿伦尼乌斯模型计算：

TAf=LUseLStress=exp×[Eak×(1TUse-1TStress)]]]>

其中，L_Use为正常应力条件下的晶圆寿命，L_Stress为加速温度条件下的晶圆寿命，T_Use为正常温度条件下的绝对温度，T_Stress为加速温度条件下的绝对温度，Ea为失效反应的活化能eV；k为玻尔兹曼常数,计算式为8.62×10^-5eV/k。

优选的，所述湿度加速因子根据Hallberg-Peck模型计算：