[发明专利]一种晶圆检测方法

权利要求书

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括：

对晶圆背面进行金属淀积；

将背面金属淀积后的晶圆进行正面贴膜并划片；

在划片后的晶圆所贴膜上随机定义多个区域，并对所述晶圆进行加速试验；

每隔固定时间从所述多个区域提取晶圆的多个管芯；

查验所述管芯是否出现膜上金属残留并记录每次试验时间；

检测管芯的金属残留信息并获取每次试验中首次出现膜上金属残留的试验时间，即每次加速试验对应条件下的晶圆寿命，以及对应试验数据；

根据每次加速试验对应条件下的晶圆寿命及对应试验数据，计算所述加速试验的加速因子；

根据所述加速因子计算背面金属淀积的晶圆在常规环境下的可存储时间。

2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述加速试验包括：应力试验、温度试验、湿度试验，其中，所述应力试验包括正常应力条件下的试验，所述温度试验包括大于常规环境条件温度的加速温度、正常温度条件下的试验，所述湿度试验包括在大于常规环境条件湿度的加速湿度、正常湿度条件下的试验。

3.根据权利要求2所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述加速试验的加速因子为温度加速因子乘以湿度加速因子。

4.根据权利要求3所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述温度加速因子根据阿伦尼乌斯模型计算：

TAf=LUseLStress=exp×[Eak×(1TUse-1TStress)]]]>

其中，L_Use为正常应力条件下的晶圆寿命，L_Stress为加速温度条件下的晶圆寿命，T_Use为正常温度条件下的绝对温度，T_Stress为加速温度条件下的绝对温度，Ea为失效反应的活化能eV；k为玻尔兹曼常数,计算式为8.62×10^-5eV/k。

5.根据权利要求4所述的晶圆检测方法，其特征在于：所述湿度加速因子根据Hallberg-Peck模型计算：

HAf=(RHStressRHUse)n]]>

其中，RH_Stress为加速湿度条件下的相对湿度，RH_Use为正常湿度条件下的相对湿度；n为湿度的加速常数。