[发明专利]绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路

摘要

绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，涉及晶体管保护电路。设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与IGBT的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与IGBT的E极连接。IGBT一旦发生击穿，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心，经控制中心进行处理，避免带来连锁损坏。

主权项

绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路，其特征在于设有控制中心、绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路、绝缘栅双极型晶体管和绝缘栅双极型晶体管驱动模块；绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的输入端与绝缘栅双极型晶体管的C极及输入驱动端连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路与绝缘栅双极型晶体管驱动模块驱动输出电源连接，绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接，控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘栅双极型晶体管驱动模块的输入端，绝缘栅双极型晶体管驱动模块与绝缘栅双极型晶体管的E极连接；所述绝缘栅双极型晶体管击穿检测电路由电阻R2、R3、R4、R5，电容C3、C4，二极管D1、D2、D3，光耦U2和三极管Q2组成，D3负极接在绝缘栅双极型晶体管的集电极C上，当绝缘栅双极型晶体管正常工作，绝缘栅双极型晶体管驱动为低电平时，三极管Q2不导通，C极电平比+VCC高，光耦U2不导通；当绝缘栅双极型晶体管驱动为高电平时，三极管Q2导通，拉低光耦U2第1脚的电平，光耦U2不导通；当绝缘栅双极型晶体管击穿，绝缘栅双极型晶体管驱动为低电平时，三极管Q2不导通，但C极电平比+VCC低，光耦U2导通，光耦U2隔离传输一个电信号去控制中心。