[发明专利]发光器件和发光器件阵列有效
申请号: | 201310534465.0 | 申请日: | 2013-11-01 |
公开(公告)号: | CN103811597B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 崔炳然;范熙荣;李容京;李知桓;朱炫承;洪奇锡 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/36;H01L33/48 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 顾晋伟;董文国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件,该发光器件包括:衬底;包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层,以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构,该发光结构布置在衬底上;以及布置在上半导体层上的第一电极层,其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层,其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件,包括:衬底;发光结构,所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层,以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层,所述发光结构布置在所述衬底上;直接布置在所述上半导体层上的第一电极层;和布置在所述第一电极层与所述上半导体层之间的电流阻挡层,其中所述电流阻挡层为分布式布拉格反射体,其中所述第一电极层包括彼此重叠并且彼此直接接触的第一粘附层和第一接合层,其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层,以及其中所述第一粘附层布置为包围并直接接触所述电流阻挡层的上部和侧部中的每一个,其中所述第一粘附层的厚度为至少2nm至15nm。
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