[发明专利]发光器件和发光器件阵列

说明书

本发明涉及一种发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。公开了一种发光器件，该发光器件包括：衬底；包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层的发光结构，该发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。

技术领域

实施方案涉及一种发光器件以及包括该发光器件的发光器件阵列。

背景技术

基于氮化镓（GaN）的金属有机化学气相沉积和分子束外延的生长，研制了显示出高亮度并且能够表现白光的红色、绿色和蓝色发光二极管（LED）。

这样的发光二极管（LED）具有优异的生态友好性，这是因为其不含环境有害物质（例如在如白炽灯或荧光灯的常规照明装置中使用的汞（Hg））并且由于长寿命和低功耗的优点，所以使用这样的发光二极管作为常规光源的替代者。这种LED竞争力的关键因素是基于高效率高电力芯片和封装技术实现高亮度。

为了实现高亮度，重要的是提高光提取效率。正在研究使用倒装芯片结构、表面结构化、图案化蓝宝石衬底（PSS）、光子晶体技术和抗反射层结构等各种方法来提高光提取效率。

一般而言，发光器件可包括发光结构，该发光结构包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层、布置在衬底上的用来向第一导电型半导体层提供第一电力的第一电极和用来向第二导电型半导体层提供第二电力的第二电极。

发明内容

实施方案提供了一种用来提高产率并且提供增强的光视效能的发光器件和包括该发光器件的发光器件阵列。

在一个实施方案中，发光器件包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层，发光结构布置在衬底上；以及布置在上半导体层上的第一电极层，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层（adhesivelayer）和第一接合层（bondinglayer），其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置有反射层。第一电极层还可包括布置在第一粘附层上的第一阻挡层，使得第一阻挡层接触第一粘附层。

发光器件还可以包括布置在下半导体层上的第二电极层，其中第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，其中在第二粘附层与第二接合层之间未布置有反射层。第二电极层还可以包括布置在第二粘附层上的第二阻挡层，使得第二阻挡层接触第二粘附层。

第一粘附层或第二粘附层可包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。第一阻挡层可包括Ni、Cr、Ti或Pt中的至少一种。第一粘附层的厚度至少可为2nm至15nm。下半导体层的侧表面是倾斜的。

发光器件还可包括布置在上半导体层与第一电极层之间的导电层，并且还可以包括布置在导电层与上半导体层之间的电流阻挡层。导电层可以布置为包围电流阻挡层的上部和侧部。

电流阻挡层可以为分布式布拉格反射体。分布式布拉格反射体可包括绝缘材料，该绝缘材料包括交替层叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。第一电极层的宽度可为5μm至100μm。

第一接合层的厚度可以为100nm至2000nm。

在另一实施方案中，发光器件阵列包括：衬底、在衬底上沿着水平方向彼此间隔开的多个发光器件、用来连接多个发光器件中的两个发光器件的导电互连层、以及布置在发光器件与导电互连层之间的第一绝缘层。其中单独的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层以及布置在下半导体层与上半导体层之间的有源层；布置在上半导体层上的第一电极层；以及布置在下半导体层上的第二电极层；其中导电互连层将两个发光器件中一个的第一电极层与两个发光器件中另一个的第二电极层连接，其中第一电极层包括彼此重叠的第一粘附层和第一接合层，其中在第一粘附层与第一接合层之间未布置反射层。