[发明专利]发光器件和发光器件阵列

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层，所述发光结构布置在所述衬底上；

直接布置在所述上半导体层上的第一电极层；和

布置在所述第一电极层与所述上半导体层之间的电流阻挡层，其中所述电流阻挡层为分布式布拉格反射体，

其中所述第一电极层包括彼此重叠并且彼此直接接触的第一粘附层和第一接合层，

其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层，以及

其中所述第一粘附层布置为包围并直接接触所述电流阻挡层的上部和侧部中的每一个，

其中所述第一粘附层的厚度为至少2nm至15nm。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括布置在所述下半导体层上的第二电极层，

其中所述第二电极层包括彼此重叠的第二粘附层和第二接合层，以及

其中在所述第二粘附层与所述第二接合层之间未布置有反射层。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第二电极层还包括布置在所述第二粘附层上的第二阻挡层，使得所述第二阻挡层接触所述第二粘附层。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一粘附层包括Cr、Rd或Ti中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述下半导体层的侧表面是倾斜的。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述分布式布拉格反射体包括绝缘材料，所述绝缘材料包括交替层叠两次或更多次的具有不同折射率的第一层和第二层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层的宽度为5μm至100μm。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一接合层的厚度为100nm至2000nm。

9.一种发光器件阵列，其包括：

衬底；

多个发光器件，所述多个发光器件在所述衬底上沿着水平方向彼此间隔开；

导电互连层，所述导电互连层用来连接所述多个发光器件中的两个发光器件；以及

第一绝缘层，所述第一绝缘层布置在所述发光器件与所述导电互连层之间，

其中单独的发光器件包括：

发光结构，所述发光结构包括具有不同导电类型的下半导体层和上半导体层，以及布置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的有源层；

直接布置在所述上半导体层上的第一电极层；

布置在所述下半导体层上的第二电极层；和

布置在所述第一电极层与所述上半导体层之间的电流阻挡层，其中所述电流阻挡层为分布式布拉格反射体，

其中所述导电互连层将所述两个发光器件中一个的所述第一电极层与所述两个发光器件中另一个的所述第二电极层连接，

其中所述第一电极层包括彼此重叠并且彼此直接接触的第一粘附层和第一接合层，

其中在所述第一粘附层与所述第一接合层之间未布置有反射层，以及

其中所述第一粘附层布置为包围并直接接触所述电流阻挡层的上部和侧部中的每一个，

其中所述第一粘附层的厚度为至少2nm至15nm。

10.根据权利要求9所述的发光器件阵列，其中所述导电互连层包括彼此重叠的第三粘附层和第三接合层，以及

其中在所述第三粘附层和所述第三接合层之间未布置有反射层。

11.根据权利要求10所述的发光器件阵列，其中所述导电互连层还包括在所述第三粘附层上的第三阻挡层，使得所述第三阻挡层接触所述第三粘附层。

12.根据权利要求9所述的发光器件阵列，还包括布置在所述第一绝缘层和所述发光器件之间的第二绝缘层。