[发明专利]具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201310529501.4 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104600191A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 赵莹莹;胡凤霞;王晶;匡皓;王栓虎;孙继荣;沈保根 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法和用途。所述材料包括：(001)、(011)或其斜切取向的具有反压电特性的PMN-PT单晶衬底和外延生长于该单晶衬底上的钙钛矿型锰氧化物薄膜，其中，所述PMN-PT单晶衬底与所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的晶格失配度为3.5～4.6%。通过控制薄膜厚度、衬底上纵向偏置电场的大小可以方便地调节极化效应、晶格应变效应以及静电场对薄膜相分离各相的影响，进而调节薄膜面内正的场致电阻效应。本发明提供的可获得正的场致电阻效应的异质结构材料及其制备方法具有设计简单、低功耗、方便易操作等特点，有利于器件应用。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 致电 效应 结构 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种具有正的场致电阻效应的异质结构材料，所述异质结构材料包括：(001)、(011)或其斜切取向的具有反压电特性的PMN‑PT单晶衬底和外延生长于该单晶衬底上的钙钛矿型锰氧化物薄膜，其中，所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的化学通式为：Pr0.7(Ca1‑xSrx)0.3MnO3，0＜x＜1，所述PMN‑PT单晶衬底与所述钙钛矿型锰氧化物薄膜的晶格失配度为3.5～4.6%。
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