[发明专利]一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法

摘要

本发明公开了一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，包括在半导体衬底上沉积超低介质常数薄膜；干法刻蚀所述超低介质常数薄膜以在其中形成侧壁结构；采用含‑CH3的不饱和烃的化学药液进行湿法清洗；以及进行紫外线照射。本发明能够修复超低介质常数薄膜侧壁的损伤，从而恢复超低介质常数薄膜中的孔径和孔隙率，使有效介质常数保持最小。

主权项

1.一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上沉积超低介质常数薄膜，所述超低介质常数薄膜为掺碳的多孔氧化硅薄膜；干法刻蚀所述超低介质常数薄膜以在其中形成侧壁结构，所述干法刻蚀的等离子体在所述超低介质常数薄膜的侧壁结构处把所述掺碳的多孔氧化硅薄膜中的Si‑C键破坏；采用含‑CH3的不饱和烃的化学药液进行湿法清洗，所述含‑CH3的不饱和烃取代已经被破坏的Si‑C键中的C而与所述超低介质常数薄膜中的硅形成Si‑O‑C(Re)x；以及进行紫外线照射，以使Si‑O‑C(Re)x中的O‑C键断裂，而形成包含Si‑O‑Si的–Si(CH3)3的物质。