[发明专利]一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法有效
| 申请号： | 201310525014.0 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103531535B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修复 介质 常数 薄膜 侧壁 损伤 方法 | ||
1.一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在半导体衬底上沉积超低介质常数薄膜，所述超低介质常数薄膜为掺碳的多孔氧化硅薄膜；
干法刻蚀所述超低介质常数薄膜以在其中形成侧壁结构，所述干法刻蚀的等离子体在所述超低介质常数薄膜的侧壁结构处把所述掺碳的多孔氧化硅薄膜中的Si-C键破坏；
采用含-CH3的不饱和烃的化学药液进行湿法清洗，所述含-CH3的不饱和烃取代已经被破坏的Si-C键中的C而与所述超低介质常数薄膜中的硅形成Si-O-C(Re)x；以及
进行紫外线照射，以使Si-O-C(Re)x中的O-C键断裂，而形成包含Si-O-Si的–Si(CH3)3的物质。
2.根据权利要求1所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述湿法清洗的温度为20～40摄氏度，清洗时间为15秒～80秒。
3.根据权利要求1所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述紫外线照射的温度为380～500摄氏度，照射时间为10秒～25秒。
4.根据权利要求1所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述紫外线照射在氢气环境中进行，所述氢气的流量为80sccm～120sccm。
5.根据权利要求1所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述超低介质常数薄膜通过等离子增强化学气相沉积而成。
6.根据权利要求5所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述等离子增强化学气相沉积的反应气体为甲基二乙氧基硅烷和氧气，腔体温度为350～480摄氏度；直流功率为350～600瓦。
7.根据权利要求1所述的一种修复超低介质常数薄膜侧壁损伤的方法，其特征在于，所述侧壁结构为大马士革结构的通孔及沟槽的侧壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
