[发明专利]一种存储器装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201310519887.0 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104424134A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/16 | 分类号： | G06F12/16 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置包括在一阵列层级晶粒中的一存储单元阵列，此阵列包括多个子阵列，每一个子阵列包括各自的数据线；存储器装置亦包括多个页面缓冲器，用于一页面缓冲器层级晶粒中的对应的子阵列；存储器装置亦包括多个晶粒间的连接部，其被设计成用于将页面缓冲器层级晶粒中的页面缓冲器电性耦接至阵列层级晶粒中的对应的子阵列的数据线。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器装置，包括：一存储单元阵列，位于一阵列层级晶粒中，该存储单元阵列包括多个子阵列，每个子阵列耦接至对应的数据线；多个页面缓冲器，在这些子阵列中用于对应的子阵列，这些页面缓冲器是位于一页面缓冲器层级晶粒中；以及多个晶粒间的连接部，将位于该页面缓冲器层级晶粒中的这些页面缓冲器电性耦接至位于该阵列层级晶粒中的对应的子阵列的这些数据线。
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