[发明专利]一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶及其制备方法无效
| 申请号： | 201310516740.6 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103525416A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 王海波;朱月华;姜青松;苏娟;施丰华;邢海东;刘光熙;卓宁泽;李东志 | 申请（专利权）人： | 南京琦光光电科技有限公司;轻工业部南京电光源材料科学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶，所述的半导体纳米晶采用水相合成技术，(1)将硫氢化物、醋酸锌、六聚偏磷酸钠合成ZnS半导体纳米晶；(2)在ZnS半导体纳米晶中加入醋酸铅溶液，生成ZnS／PbS半导体纳米晶；(3)在ZnS／PbS半导体纳米晶中注入醋酸锌溶液、硫氢化物溶液，制得ZnS／PbS／ZnS半导体纳米晶。本发明制得的半导体纳米晶在450～460nm波长的蓝光激发下发射绿光，发射光谱的波长范围为505nm～550nm，可应用于LED器件。本制备方法简单，操作简便，成本低，适合量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激发 led 绿色 半导体 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝光激发的LED用绿色半导体纳米晶，其特征在于：该半导体纳米晶可在450～460nm波长光激发下发射绿光，发射光谱的波长范围为505～550nm，所述的半导体纳米晶结构式为ZnS／PbS／ZnS。
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