[发明专利]一种硅基微腔激光器的制作方法有效
| 申请号： | 201310510520.2 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103579902A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周旭亮;于红艳;李梦珂;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤：在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层；将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构；在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导；在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口；在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离；在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。本发明提出的上述方法利用超高真空化学气相外延与MOCVD结合实现高质量的III-V族层，抛光和清洗实现清洁平整表面；干法刻蚀与湿法腐蚀实现光滑的微腔侧壁，减少激光器损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基微腔 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
一种硅基微腔激光器的制作方法，包括以下步骤:步骤1:在硅衬底正面，采用超高真空化学气相沉积方法外延锗层；步骤2:将外延有锗层的硅衬底放入MOCVD反应室中，并先后分别生长低温成核砷化镓层和高温砷化镓层;步骤3:将高温砷化镓层表面抛光后外延激光器结构;步骤4:在激光器结构上干法刻蚀形成微腔和输出波导;步骤5:在形成微腔和输出波导后沉积二氧化硅层，在微腔上方开出电极窗口;步骤6:在二氧化硅层和电极窗口上表面制作正电极，并做电极隔离;步骤7:在硅衬底背面制作背电极，完成器件的制作。
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