[发明专利]公斤级高纯碳化硅粉的制备方法

摘要

本发明提供了一种公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，步骤为，（1）将石墨坩埚镀碳膜；（2）将镀过碳膜的石墨坩埚镀碳化硅（3）将混合均匀后的硅粉、碳粉放入坩埚中，将坩埚置于发热管中，将发热管放入中频感应加热炉中，对系统抽气、升温、充入高纯氩气、氦气或氢气和氩气的混合气，加热至合成温度，保温一定时间后降温，即可得到公斤级高纯碳化硅粉。本发明方法能有效去除硅粉、碳粉中的大部分杂质元素，对于高纯半绝缘碳化硅单晶生长或是N型掺杂和P型掺杂的碳化硅单晶生长来说，可排除非有意掺杂杂质的干扰，有利于稳定晶型及电阻率和其他电学参数。

主权项

公斤级高纯碳化硅粉的制备方法，其特征在于，该方法具体为：镀碳膜：将石墨坩埚放入CVD炉中，通入甲烷气体，在温度1000‑1200℃时，在石墨坩埚表面形成碳膜；镀碳化硅层：将硅粉、碳粉按摩尔比1:1‑1.5:1的比例混合均匀放入镀过碳膜的石墨坩埚内，置于中频感应加热炉中，在高纯氩气环境中，升温至1800‑2000℃，保持2‑10小时，然后降至室温，在石墨坩埚内壁形成一层致密的碳化硅层；混料：将硅粉、碳粉按摩尔比1：1混合均匀；合成：将混合均匀后的硅粉、碳粉放入镀过碳化硅层的石墨坩埚中，将石墨坩埚置于发热管中，将发热管放入中频感应加热炉中，对系统抽气，除去系统中的氮气和氧气，同时将温度升至800‑1100℃，然后充入高纯氩气、氦气或氢气与氩气的混合气，缓慢升温至合成温度1500‑1900℃，保温2‑24小时后降至室温，即可得到公斤级高纯碳化硅粉。