[发明专利]气体处理系统及化学气相沉积设备有效
申请号: | 201310508648.5 | 申请日: | 2013-10-24 |
公开(公告)号: | CN103590018A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 陈甫;刘祖宏;刘建辉;李婷婷;丁欣;张亮;侯智;吴代吾 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明提供一种气体处理系统及化学气相沉积设备,属于微电子技术领域,其可解决现有的气体处理系统的能源浪费的问题。本发明的气体处理系统,其包括:用于从反应腔室中抽取气体的抽气装置、用于对从反应腔室中抽取的气体进行处理的气体处理装置,所述气体处理系统还包括:气体监测装置,所述反应腔室与抽气装置,抽气装置与气体处理装置均通过第一管道连接;所述气体监测装置与第一管道气路连接,用于将气体电离,并俘获电离产生的离子而产生电流;所述气体监测装置与气体处理装置电连接,用于控制气体处理装置工作。本发明的气体处理系统可用于化学气相沉积设备,干法刻蚀工艺设备等基板处理工艺的设备中。 | ||
搜索关键词: | 气体 处理 系统 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】:
一种气体处理系统,其包括:用于从反应腔室中抽取气体的抽气装置、用于对从反应腔室中抽取的气体进行处理的气体处理装置,其特征在于,所述气体处理系统还包括:气体监测装置,其中, 所述反应腔室、抽气装置、气体处理装置间通过第一管道连接; 所述气体监测装置与第一管道气路连接,用于将气体电离,并俘获电离产生的离子而产生电流; 所述气体监测装置与气体处理装置电连接,用于控制气体处理装置工作。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的