[发明专利]一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺

摘要

本发明公开了一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺，属于多晶硅的制备领域。本发明的具体步骤为：首先，石英炉管升温；接着，镀第一层氮化硅膜、镀第二层氮化硅膜，最后出舟。本发明的制备工艺与现有的制备工艺相比省去了镀膜前钝化工艺，节约了整个工艺的持续时间，提高了管式PECVD的产量，降低了制备成本，同时避免了氮化硅膜沉积之前的高频操作对硅片表面的损伤；本发明还升高了氮化硅双层膜的制备温度，两种改进相结合最终使得制备的太阳能电池的短路电流和开路电压得到了提高，将太阳能电池的转换效率提高了约0.1%，使得转换效率得到了实质性的提高。

主权项

一种管式PECVD双层氮化硅膜的制备工艺，其特征在于包括如下步骤：S1、在N2的保护下，将石英炉管升温至氮化硅膜沉积的温度405‑470℃；S2、在温度为405‑470℃时，进行第一层氮化硅膜的沉积，沉积时间为120‑200s；S3、在温度为405‑470℃时，进行第二层氮化硅膜的沉积，沉积时间为700‑900s； S4、完成氮化硅膜的沉积工艺，在405‑440℃下出舟。