[发明专利]一种多孔氧化硅及其制备工艺方法有效
申请号: | 201310503563.8 | 申请日: | 2013-10-24 |
公开(公告)号: | CN104556065A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 范峰;凌凤香;王少军;张会成;陈晓刚;杨春雁 | 申请(专利权)人: | 中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100728 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种多孔氧化硅及其制备方法,所述氧化硅组成为无定形二氧化硅,颗粒大小为50~100μm,颗粒由20~60nm的二氧化硅初级粒子组成,比表面积为50~200m2/g,具有集中分布的介孔,孔径分布在17~22nm呈集中分布。所述多孔氧化硅的制备方法,包括以下步骤:(1)将硅溶胶与蒸馏水混合,然后搅拌均匀;(2)在搅拌条件下,将无机碱加入到步骤(1)得到混合物中,调节体系PH为10~14,然后加入蔗糖搅拌均匀,对混合物进行干燥处理;(3)步骤(2)所得混合物进行焙烧、洗涤和干燥处理后即为多孔氧化硅。本发明方法不使用昂贵的有机模板剂,仅使用廉价无毒的蔗糖作为添加剂,操作步骤简单易行,生成成本低廉。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 氧化 及其 制备 工艺 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔氧化硅,具有如下特征:组成为无定形二氧化硅,颗粒大小为50~100μm,颗粒由20~60nm的二氧化硅初级粒子组成,比表面积为50~200m2/g,具有集中分布的介孔,孔径分布在17~22nm呈集中分布,其中,17~22nm孔道的比表面积占总的比表面积的95%以上。
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