[发明专利]离子注入装置及离子注入方法无效
申请号: | 201310498734.2 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103811585A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 佐藤正辉 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01J37/32;H01J37/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新;朴勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种有助于提高生产率的离子注入装置及离子注入方法。本发明的离子注入装置(10)具备:离子源(18),具备用于提取带状束(12)的提取电极系统(24);及工艺腔室(26),从离子源(18)接收带状束(12)。工艺腔室(26)构成为使基板(S)通过离子束照射区域(14)。带状束(12)具有根据离子源(18)的离子束生成条件决定的特性。在基板(S)通过离子束照射区域(14)期间,带状束(12)自提取电极系统(24)向离子束照射区域(14)保持射束特性而直接照射到在离子束照射区域(14)移动中的基板(S)上。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种离子注入装置,其特征在于,具备:离子源,具备等离子体室、用于在所述等离子体室生成等离子体的等离子体源、及用于从所述等离子体室提取具有长条形射束剖面的离子束的提取电极系统;处理室,与所述离子源相邻设置,并从所述提取电极系统接收所述离子束,具备用于使基板沿通过离子束照射区域的基板移动路径移动的基板移动机构;及控制部,用于控制所述离子源的离子束生成条件,所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流,所述离子束从所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯伊恩股份有限公司,未经斯伊恩股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310498734.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:清洁剂组合物
- 下一篇:一种治疗湿热泻痢的中药
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的