[发明专利]离子注入装置及离子注入方法无效
申请号: | 201310498734.2 | 申请日: | 2013-10-22 |
公开(公告)号: | CN103811585A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 佐藤正辉 | 申请(专利权)人: | 斯伊恩股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01J37/32;H01J37/317 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 胡建新;朴勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 装置 方法 | ||
技术领域
本申请主张基于2012年11月13日申请的日本专利申请第2012-249537号的优先权。该申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种离子注入,更详细而言,涉及一种离子注入装置及离子注入方法。
背景技术
已知有用于制造太阳能电池的射束线离子注入装置(例如参考专利文献1及2)。该装置中,从离子源提取的离子束经具有质谱分析仪、分解孔径、角度修正磁铁的射束线被输送到终端站。不需要的离子种类不通过分解孔径而被遮蔽电极阻挡。
专利文献1:日本特表2011-513997号公报
专利文献2:美国专利申请公开第2010/0197126号说明书
即使是原理上能够适用离子注入的工艺,由于经济方面的原因也有未适用离子注入的工艺。由于以往的离子注入装置是比较昂贵的,因此在这种工艺中,离子注入与在该工艺中生产的设备所要求的生产成本不相称。
这种工艺的代表性例子有用于制造太阳能电池基板的若干工艺。通过将离子注入适用于这些工艺中,能够精度良好地控制注入到太阳能电池基板的杂质的剂量和深度方向的分布。由此,可期待太阳能电池的性能提高。然而,用于注入的离子束电流未达到所要求的水准。因此,离子注入未能对太阳能电池基板的制造给予充分的生产率。
发明内容
本发明的一方式的例示目的之一为提供一种给予有助于提高若干工艺的生产率的高射束电流的离子注入装置及离子注入方法。
根据本发明的一方式提供一种离子注入装置,其中,该离子注入装置具备:离子源,具备等离子体室、用于在所述等离子体室生成等离子体的等离子体源、及用于从所述等离子体室提取具有长条形射束剖面的离子束的提取电极系统;处理室,与所述离子源相邻设置,并从所述提取电极系统接收所述离子束,具备用于使基板沿通过离子束照射区域的基板移动路径移动的基板移动机构;及控制部,用于控制所述离子源的离子束生成条件,所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流,所述离子束自所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。
根据本发明的另一方式提供一种离子注入方法,其中,该离子注入方法具备如下工序:控制离子源的离子束生成条件;通过所述离子源的提取电极系统而提取离子束;从所述离子源将所述离子束接收至处理室;及使基板移动以通过所述处理室的离子束照射区域,所述离子束具有根据所述离子束生成条件决定的射束电流,所述离子束自所述提取电极系统保持所述射束电流而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。
根据本发明的又一方式提供一种离子注入装置,其中,该离子注入装置具备:离子源,具备用于提取离子束的提取电极系统;及处理室,从所述离子源接收所述离子束,构成为使基板通过离子束照射区域,所述离子束具有根据所述离子源的离子束生成条件决定的特性,并且在基板通过所述离子束照射区域的期间,自所述提取电极系统至所述离子束照射区域保持所述特性而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。
根据本发明的又一方式提供一种离子注入方法,其中,该离子注入方法具备如下工序:通过离子源的提取电极系统而提取离子束;从所述离子源将所述离子束接收至处理室;及使基板通过所述处理室的离子束照射区域,所述离子束具有根据所述离子源的离子束生成条件决定的特性,并且在基板通过所述离子束照射区域的期间,自所述提取电极系统至所述离子束照射区域保持所述特性而直接照射到在所述离子束照射区域移动中的基板上。
另外,以上构成要件的任意组合及在方法、装置、系统及程序等之间相互置换本发明的构成要件或表现方式,也作为本发明的方式是有效的。
发明效果:
根据本发明能够提供一种有助于提高生产率的离子注入装置及离子注入方法。
附图说明
图1是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的图。
图2是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的一部分的立体图。
图3是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的提取电极系统的图。
图4是示意地表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的射束测定系统的俯视图。
图5是表示通过本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置所得到的注入分布的图。
图6是示意地表示用于本发明的一实施方式所涉及的离子注入装置的直线型真空腔室系统的俯视图。
图7是表示本发明的一实施方式所涉及的离子注入方法的流程图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的