[发明专利]减小微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管

摘要

本发明涉及一种可减小轴向微裂缝影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，利用在器件和电路制造时，控制所述晶体管的沟道区或通道区长轴和可能在沟道区或通道区中引发的单一轴向微裂缝长轴之间所成的角度(θ)在接近90度，或者控制所述晶体管的沟道区或通道区长轴和可能在沟道区或通道区中引发的多轴向微裂缝长轴之一之间所成的角度(θ)在接近90度，可使此一高电荷迁移率晶体管在通道中所引发的微裂缝不致对通道电流有太大的影响，以达成减小或免除晶体管器件和微波集成电路的电子特性因沟道区或通道区中引发的轴向微裂缝而变差的目的，来稳定操作功能。所述晶体管的复合外延层可以沉积到砷化镓，硅，蓝宝石或碳化硅基座或衬底上。

主权项

1.一种可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述高电荷迁移率晶体管（300）有一基座或衬底（301），有一复合外延层（302），有一复合外延层宽（302W），含有一个缓冲层（302B），有一通道层（302C），有一肖特基层（302S），有一高掺杂的欧姆层(302OMS，302OMD)，一个源极（303），一个漏极（304），源极边（303E）和漏极边（304E）定出一个沟道区或通道区（306），有一沟道区或通道区长（306L），有一与复合外延层宽（302W）约相等的沟道区或通道区宽（306W），和一沟道区或通道区长轴（306A），有一个栅极（305），该栅极有一个栅极长（305L）和一个栅极宽（305W），沟道区或通道区长轴（306A）控制到远离可能在沟道区或通道区（306）中引发的单一轴向微裂缝（310）的微裂缝长轴（310A）方向，并控制在沟道区或通道区长轴（306A）和微裂缝长轴（310A）之间所成的角度()到接近90度，以达成减小或免除在复合外延层（302）中引发一个单一轴向微裂缝（310）时该单一轴向微裂缝（310）会对晶体管器件和微波集成电路的影响。