[发明专利]减小微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管

权利要求书

1.一种可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述高电荷迁移率晶体管（300）有一基座或衬底（301），有一复合外延层（302），有一复合外延层宽（302W），含有一个缓冲层（302B），有一通道层（302C），有一肖特基层（302S），有一高掺杂的欧姆层(302OMS，302OMD)，一个源极（303），一个漏极（304），源极边（303E）和漏极边（304E）定出一个沟道区或通道区（306），有一沟道区或通道区长（306L），有一与复合外延层宽（302W）约相等的沟道区或通道区宽（306W），和一沟道区或通道区长轴（306A），有一个栅极（305），该栅极有一个栅极长（305L）和一个栅极宽（305W），沟道区或通道区长轴（306A）控制到远离可能在沟道区或通道区（306）中引发的单一轴向微裂缝（310）的微裂缝长轴（310A）方向，并控制在沟道区或通道区长轴（306A）和微裂缝长轴（310A）之间所成的角度(?)到接近90度，以达成减小或免除在复合外延层（302）中引发一个单一轴向微裂缝（310）时该单一轴向微裂缝（310）会对晶体管器件和微波集成电路的影响。

2.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述基座或衬底（301）的材料由硅，碳化硅，蓝宝石和砷化镓基座或衬底中选出。

3.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述的复合外延层（302）的材料选自下述材料组：氮化铝，氮化镓，氮化铟，氮化镓铝，氮化镓铟，氮化铟铝，及其合金或熔合物。

4.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述的复合外延层（302）的材料选自下述材料组：砷化铝，砷化镓，砷化铟，砷化镓铝，砷化镓铟，砷化铟铝，及其合金或熔合物。

5.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述沟道区或通道区长轴（306A）和微裂缝长轴（310A）之间所成的角度(?)控制在90±10 度。

6.根据权利要求5所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述沟道区或通道区长轴（306A）和微裂缝长轴（310A）之间所成的角度(?)控制在90±2度。

7.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述漏极（304）和源极（303）为多层金属构成，其材料选自下列材料组：钛，镍，鉭，钨，金，铜，铝，或其熔合物。

8.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述栅极（305）有一栅极根部(305S)和一栅极头部（305H），该栅极根部（305S）至少有第一栅极根部区（305S1）和第二栅极根部区（305S2）构成，第一栅极根部区（305S1）的材料选自：钛，镍，鉭，钨，铂，或其熔合物，第二栅极根部区（305S2）则选自：钛，镍，鉭，钨，铂，金，铜，铝，或其熔合物，该栅极头部（305H）的材料选自：钛，镍，鉭，钨，金，铜，铝，或其熔合物。

9.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：所述的肖特基层（302S）和栅极（305）之间另加了一个栅极介质层(306I)，该栅极介质层(306I)的材料选自：氮化硅，氧化硅，氮氧化硅，氧化铪，氧化镁或它们的熔合物，以降低栅极（305）与源极(303)，及栅极（305）与漏极(304)之间的漏电流，从而增强所制成的微波集成电路和交换电路的功能。

10.根据权利要求1所述的可减小单一轴向微裂缝的影响，且用在微波集成电路和交换电路的高电荷迁移率晶体管，其特征在于：在所述的高电荷迁移率晶体管（300）及其所制成的微波集成电路和交换电路的表面沉积一层保护层，该保护层的材料选自氮化硅，氧化硅，或氮氧化硅。