[发明专利]一种台阶型发光二极管无效
| 申请号： | 201310496665.1 | 申请日： | 2013-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103594585A | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | 丛国芳 | 申请（专利权）人： | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种台阶型发光二极管，具有衬底，在衬底上具有第一底透明导电层，在第一底透明导电层上具有底粗化层，底粗化层上具有第二底透明导电层，在第二底透明导电层的第一区域上具有底电极层，在第二底透明导电层的第二区域上具有p型半导体层，在p型半导体层上具有半导体发光层，在半导体发光层上具有n型半导体层，在n型半导体层上具有第一顶透明导电层，在第一顶透明导电层上具有顶粗化层，在顶粗化层上具有第二顶透明导电层，在第二顶透明导电层上具有顶电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 台阶 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种台阶型发光二极管，其特征在于： 所述台阶型发光二极管具有衬底，在衬底上具有第一底透明导电层，在第一底透明导电层上具有底粗化层，底粗化层上具有第二底透明导电层，在第二底透明导电层的第一区域上具有底电极层，在第二底透明导电层的第二区域上具有p型半导体层，在p型半导体层上具有半导体发光层，在半导体发光层上具有n型半导体层，在n型半导体层上具有第一顶透明导电层，在第一顶透明导电层上具有顶粗化层，在顶粗化层上具有第二顶透明导电层，在第二顶透明导电层上具有顶电极。
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