[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法、显示基板和显示装置在审
申请号: | 201310495576.5 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103526165A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 胡滕滕;任锦宇;宋勇志 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;H01B13/00;H01L27/12;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种透明导电薄膜及其制备方法、显示基板和显示装置。该透明导电薄膜包括种子膜层和纳米线膜层,其制备方法包括:采用脉冲激光沉积的方法在基板上形成种子膜层,采用脉冲激光沉积的方法在种子膜层上形成纳米线膜层。该纳米线膜层具有特殊的一维纳米线结构,不仅能够提高透明导电薄膜的光透过率,从而提高了光能的利用率;而且能够使电荷迅速收集并沿一维纳米线构成的一维通道直接传输,提高电荷的收集效率。采用该透明导电薄膜的显示基板,不仅透光率大大提高;而且充电时间明显缩短,响应速度大大提高。过渡族金属氧化物替代铟材料的使用,降低了产品成本。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】:
一种透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述透明导电薄膜包括种子膜层和纳米线膜层,所述制备方法包括:步骤S1:采用脉冲激光沉积的方法在基板上形成所述种子膜层,所述种子膜层包括均匀分布的纳米晶粒;步骤S2:采用脉冲激光沉积的方法在所述种子膜层上形成所述纳米线膜层,所述纳米线膜层包括多个平行排列的一维纳米线。
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