[发明专利]透明导电薄膜及其制备方法、显示基板和显示装置

权利要求书

1.一种透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述透明导电薄膜包括种子膜层和纳米线膜层，所述制备方法包括：

步骤S1：采用脉冲激光沉积的方法在基板上形成所述种子膜层，所述种子膜层包括均匀分布的纳米晶粒；

步骤S2：采用脉冲激光沉积的方法在所述种子膜层上形成所述纳米线膜层，所述纳米线膜层包括多个平行排列的一维纳米线。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11：将所述基板置于有机溶液中超声清洗；

步骤S12：干燥所述基板，将干燥后的所述基板置于沉积室内；

步骤S13：将所述沉积室抽真空,同时使所述沉积室内保持室温；

步骤S14：向所述沉积室内充入氧气；

步骤S15：通过脉冲激光沉积的方法，在所述基板上沉积形成所述种子膜层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：

步骤S21：向所述沉积室内充入氧气；

步骤S22：通过脉冲激光沉积的方法，在所述种子膜层上沉积形成所述纳米线膜层。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，

所述步骤S11将所述基板置于有机溶液中超声清洗包括将所述基板置于丙酮溶液和乙醇溶液中，分别超声清洗30-60分钟；

所述步骤S13将所述沉积室抽真空，真空度范围为5.0×10-8Pa-5.0×10-4Pa；

所述步骤S14向所述沉积室内充入氧气，所述沉积室内的压强范围为6-10Pa；

所述步骤S21向所述沉积室内充入氧气，所述沉积室内的压强范围为25-35Pa；

所述步骤S14和所述步骤S21向所述沉积室内充入氧气，所述氧气的纯度为99.9%-99.9999%。

5.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积的方法，脉冲激光发射器设置于所述沉积室外，所述脉冲激光发射器与所述沉积室之间设置有聚焦透镜，所述沉积室开设有透明的石英窗口，所述沉积室内设置有相对设置的靶台和基台，所述靶台上设置有靶材；所述聚焦透镜的焦点、所述石英窗口的中心和所述靶材的中心位于同一直线；所述基板设置在所述基台上，且与所述靶材平行，在步骤S15和/或S22中，包括调节所述聚焦透镜与所述石英窗口之间的距离以使所述聚焦透镜的焦点汇聚到所述靶材上，调节所述靶材与所述基板之间的距离，设定所述靶台和所述基台以相同的转速转动。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述脉冲激光沉积的方法中，所述激光脉冲频率为9-11Hz，所述激光脉冲的个数为5000-7000个，单个所述激光脉冲的能量为248-252mJ；所述靶材与所述基板之间的距离为4.5-5.5厘米。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述靶材采用纯度为99.99%-99.9999%的过渡族金属氧化物，所述过渡族金属氧化物包括氧化锌、二氧化锡或二氧化钛。

8.一种透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电薄膜包括种子膜层和纳米线膜层，所述种子膜层包括均匀分布的纳米晶粒，所述纳米线膜层包括多个一维纳米线，所述纳米线膜层设置于所述种子膜层上。

9.根据权利要求8所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述多个一维纳米线平行排列构成所述纳米线膜层，所述一维纳米线的直径为60-80nm。

10.根据权利要求9所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述一维纳米线与所述种子膜层的夹角范围为80°-90°。

11.根据权利要求10所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述种子膜层和所述纳米线膜层采用过渡族金属氧化物，所述过渡族金属氧化物包括氧化锌、二氧化锡或二氧化钛。

12.根据权利要求11所述的透明导电薄膜，其特征在于，所述种子膜层的厚度为20-50nm,所述纳米线膜层的厚度为2-3μm。

13.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括如权利要求8-12任意一项所述的透明导电薄膜。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述透明导电薄膜作为所述显示基板的公共电极和/或像素电极。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求13-14任意一项所述的显示基板。