[发明专利]一种太阳能电池减反射膜的制作方法无效
申请号: | 201310489233.8 | 申请日: | 2013-10-18 |
公开(公告)号: | CN103618022A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 黄纪德;陈康平;金浩;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人: | 吴关炳 |
地址: | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池减反射膜的制作方法,具体步骤如下:(1)沉积氮化硅膜层:将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中,通入反应气体NH3和SiH4,在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层;所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1~40;(2)沉积二氧化硅膜层:然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4,在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层,所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1~40。本发明通过减反射膜膜层的组合方式和优化减反射膜镀膜气体的配方,以提高增透强度、减少色差,从而提高转换效率,且与传统太阳能电池生产线兼容,适合于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 减反射膜 制作方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池减反射膜的制作方法,其特征在于:在硅片表面依次沉积至少一层氮化硅膜层并再沉积一层二氧化硅膜层,通过优化各膜层沉积时气体配比使之增透和减少色差,具体步骤如下:(1)沉积氮化硅膜层:将完成酸制绒、磷扩散和刻蚀清洗的P型多晶硅片置于镀膜设备中,通入反应气体NH3和SiH4,在硅片表面沉积至少一层均匀的氮化硅膜层;所述SiH4和NH3气体标准状态下的流量比例为1∶1~40;(2)沉积二氧化硅膜层:然后在镀膜设备中通入反应气体为N2O和SiH4,在硅片表面沉积一层均匀的二氧化硅膜层,所述SiH4和N2O气体标准状态下的流量比例为1∶1~40。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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