[发明专利]基板处理方法

摘要

本发明揭示一种基板处理方法。该方法包括基板提供步骤，提供形成有第一薄膜及第二薄膜的基板；蚀刻副产物形成步骤，向该基板上提供顶部流动蚀刻气体，在第一薄膜的顶部面形成蚀刻副产物；第一薄膜蚀刻步骤，对该基板进行热处理，去除该蚀刻副产物，蚀刻该第一薄膜；任选的去除步骤，向该基板上提供底部流动蚀刻气体，视需要去除该第一薄膜及该第二薄膜中剩余的一个。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于包括：基板载入步骤，将形成有第一薄膜及第二薄膜的基板载入腔室内；薄膜去除步骤，向该腔室内提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一；以及剩余薄膜去除步骤，向该腔室内提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个；所述提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个，是在所述提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一之后实施的；该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体包括经受远程等离子处理的三氟化氮；该第一薄膜及第二薄膜分别包括氧化硅膜及多晶硅或氮化硅膜。