[发明专利]基板处理方法有效
| 申请号： | 201310488001.0 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN103779183B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 金秉勋;李昔宗 | 申请（专利权）人： | PSK有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 巩克栋,杨生平 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 方法 | ||
1.一种基板处理方法，其特征在于包括：
基板载入步骤，将形成有第一薄膜及第二薄膜的基板载入腔室内；
薄膜去除步骤，向该腔室内提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一；以及
剩余薄膜去除步骤，向该腔室内提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个；
所述提供该顶部流动蚀刻气体或该底部流动蚀刻气体中剩余的一个，去除该第一薄膜与该第二薄膜中剩余的一个，是在所述提供顶部流动蚀刻气体或底部流动蚀刻气体中之一，去除该第一薄膜及该第二薄膜中之一之后实施的；
该顶部流动蚀刻气体及该底部流动蚀刻气体包括经受远程等离子处理的三氟化氮；
该第一薄膜及第二薄膜分别包括氧化硅膜及多晶硅或氮化硅膜。
2.如权利要求1所所述的基板处理方法，其中，
该顶部流动蚀刻气体在该第一薄膜或该第二薄膜上形成蚀刻副产物。
3.如权利要求2所所述的基板处理方法，其中，
进一步包括去除该蚀刻副产物的步骤。
4.如权利要求3所所述的基板处理方法，其中，
该蚀刻副产物的去除步骤包括该基板的热处理步骤。
5.如权利要求1所所述的基板处理方法，其中，
该三氟化氮与反应气体或活性气体混合提供于该腔室内。
6.如权利要求5所所述的基板处理方法，其中，
该反应气体包括氢气或氮气。
7.如权利要求5所所述的基板处理方法，其中，
该活性气体包括氧气。
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