[发明专利]一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法

摘要

本发明涉及一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，包括以下工序：选取硅外延片、铂扩散、P+阳极区硅-硅键合、台面制造、硅槽钝化、正面金属化、减薄、背面金属化，本发明工艺流程中在形成P+阳极区之前在N-层表面进行铂扩散工艺，使高浓度复合中心尽可能分布在N-层靠近PN结附近的区域，而在P+层靠近PN结附近不引入或引入很低浓度的复合中心，即实现了复合中心的类似局域分布，有利于实现正向压降和反向恢复时间的更佳折衷，并可减小少子寿命、缩短反向恢复时间，同时可降低复合中心对漏电的影响，有利于提高产品成品率，可用来制造体积小、成品率高、一致性好、可靠性高的高压快恢复二极管芯片。

主权项

一种基于硅基键合材料的高压快恢复二极管制造方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）、在N型硅外延材料的N‑面（2）上淀积一层金属铂，然后在900～1000℃下进行铂扩散，时间为30～60min；（2）、将步骤（1）中经铂扩散后的圆片通过硅‑硅键合工艺键合一层重掺杂P+硅材料（1），形成P+阳极区；（3）、在圆片的P+阳极区上依次制备氧化层（8）和氮化硅层（7），作为台面腐蚀的掩蔽层，然后进行光刻，接着采用湿法腐蚀工艺形成硅台面结构，最后采用干法刻蚀工艺去掉台面上的氧化硅层（8）和氮化硅层（7）；（4）、在步骤（3）得到的圆片表面依次制备磷硅玻璃、二氧化硅作为钝化层（6），或者依次制备二氧化硅、氮化硅作为钝化层（6）；（5）、对经步骤（4）处理的圆片经光刻、腐蚀后形成阳极接触窗口，然后表面淀积金属，光刻、腐蚀后形成阳极金属电极（4）；（6）、将步骤（5）得到的圆片从N+面（3）进行减薄；（7）、将减薄后的圆片的N+面（3）淀积金属，形成阴极金属电极（5）。