[发明专利]控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节

摘要

各种实施方式提供了除去衬底的斜面边缘附近的不想要的沉积物以提高处理良率的装置和方法。该实施方式提供了具有中心和边缘气体进口作为附加的处理调节器以选择最合适的斜面边缘蚀刻处理以将边缘排除区域进一步向外朝着该衬底边缘推动的装置和方法。进一步，该实施方式提供了具有（一种或多种）微调气体以改变斜面边缘处的蚀刻轮廓并使用中心和边缘气体进口的组合来将处理和微调气体流入该室的装置和方法。微调气体的使用和（一个或多个）气体进口的位置两者都会影响斜面边缘处的蚀刻特性。还发现总气流、该气体输送板和衬底表面之间的空隙距离、压强和（一种或多种）处理气体的类型也影响斜面边缘蚀刻轮廓。

主权项

一种在等离子体蚀刻室中蚀刻衬底的斜面边缘上的薄膜的方法，包含：将该衬底放在该等离子体蚀刻室中的衬底支座上；通过中心气体进口或边缘气体进口将蚀刻处理气体流入，其中该中心气体进口和该边缘气体进口被置于该衬底支座的上方；通过该中心气体进口或该边缘气体进口将该微调处理气体流入，其中该微调气体被用于改变该斜面边缘处的蚀刻等离子体的特性；通过用RF电源对底部边缘电极或顶部边缘电极加电并使没有被该RF电源加电的边缘电极接地而在该衬底的该斜面边缘附近产生蚀刻等离子体以蚀刻该斜面边缘上的该薄膜，其中该底部边缘电极围绕该衬底支座而该顶部边缘电极围绕该气体分布板，其中该顶部边缘电极和该底部边缘电极之间的距离小于约1.5厘米以约束该处置等离子体；以及通过产生的蚀刻等离子体蚀刻该薄膜。