[发明专利]控制斜面边缘蚀刻等离子体室中的边缘排除的气体调节

权利要求书

1.一种在等离子体蚀刻室中蚀刻衬底的斜面边缘上的薄膜的方法，包含：

将该衬底放在该等离子体蚀刻室中的衬底支座上；

通过中心气体进口或边缘气体进口将蚀刻处理气体流入，其中该中心气体进口和该边缘气体进口被置于该衬底支座的上方；

通过该中心气体进口或该边缘气体进口将该微调处理气体流入，其中该微调气体被用于改变该斜面边缘处的蚀刻等离子体的特性；

通过用RF电源对底部边缘电极或顶部边缘电极加电并使没有被该RF电源加电的边缘电极接地而在该衬底的该斜面边缘附近产生蚀刻等离子体以蚀刻该斜面边缘上的该薄膜，其中该底部边缘电极围绕该衬底支座而该顶部边缘电极围绕该气体分布板，其中该顶部边缘电极和该底部边缘电极之间的距离小于约1.5厘米以约束该处置等离子体；以及

通过产生的蚀刻等离子体蚀刻该薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中被蚀刻的斜面边缘上的薄膜是从由电介质膜、金属膜、光阻膜、半导体膜和这些膜的组合组成的组中选择出来的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中薄膜是电介质膜而该蚀刻处理气体包括含氧气体和含氟气体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该微调气体包括氮气或惰性气体。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该气体分配板和该衬底面对该气体分配板的那个表面之间的距离小于约0.6毫米以阻止在该气体分配板和该衬底之间形成等离子体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该斜面边缘附近的蚀刻等离子体在离该衬底的边缘大于约2毫米处具有零蚀刻。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该蚀刻处理气体是从该边缘气体进口输入的而该微调气体是从该中心气体进口输入的。