[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310481657.X | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104103578B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 林成沅;廉胜振;李孝硕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：形成在衬底之上的第一导电结构，所述第一导电结构包括第一导电图案；第二导电结构，所述第二导电结构相邻于第一导电结构的侧壁而形成；以及绝缘结构，所述绝缘结构包括形成在第一导电结构和第二导电结构之间的气隙，其中，第二导电结构包括：第二导电图案、形成在第二导电图案之上的欧姆接触层、以及形成在欧姆接触层之上并且经由气隙与第一导电图案分隔开的第三导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 有气 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成在衬底之上的第一导电结构，所述第一导电结构包括第一导电图案；在所述衬底之上的第二导电结构，所述第二导电结构相邻于所述第一导电结构的侧壁而形成；以及在所述衬底之上的绝缘结构，所述绝缘结构包括形成在所述第一导电结构和所述第二导电结构之间的气隙，其中，所述第二导电结构包括：第二导电图案、形成在所述第二导电图案之上的欧姆接触层、以及形成在所述欧姆接触层之上并且经由所述气隙与所述第一导电图案分隔开的第三导电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
