[发明专利]具有气隙的半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件包括：形成在衬底之上的第一导电结构，所述第一导电结构包括第一导电图案；第二导电结构，所述第二导电结构相邻于第一导电结构的侧壁而形成；以及绝缘结构，所述绝缘结构包括形成在第一导电结构和第二导电结构之间的气隙，其中，第二导电结构包括：第二导电图案、形成在第二导电图案之上的欧姆接触层、以及形成在欧姆接触层之上并且经由气隙与第一导电图案分隔开的第三导电图案。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年4月8日提交的申请号为10-2013-0038175的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种具有气隙的半导体器件及其制造方法。

背景技术

一般地，在半导体器件中，相邻的导电结构之间形成有电介质材料。随着半导体器件高度集成，导电结构之间的距离逐步地减小。由于这个事实，寄生电容增大。随着寄生电容增大，半导体器件的性能降低。

为了减小寄生电容，可以降低电介质材料的介电常数。然而，由于电介质材料具有高介电常数，所以在减小寄生电容上可能存在限制。

发明内容

本发明的各种示例性实施例涉及一种可以减小相邻导电结构之间的寄生电容的半导体器件及其制造方法。

根据本发明的一个示例性实施例，一种半导体器件可以包括：形成在衬底之上的第一导电结构，所述第一导电结构包括第一导电图案；在衬底之上的第二导电结构，所述第二导电结构相邻于第一导电结构的侧壁而形成；以及在衬底之上的绝缘结构，所述绝缘结构包括形成在第一导电结构和第二导电结构之间的气隙，其中，第二导电结构包括：第二导电图案、形成在第二导电图案之上的欧姆接触层、以及形成在欧姆接触层之上的第三导电图案。

根据本发明的另一个示例性实施例，一种半导体器件可以包括：形成在衬底之上的位线结构，所述位线结构包括位线；在衬底之上的储存节点接触插塞，所述储存节点接触插塞相邻于位线结构的侧壁而形成；以及在衬底之上的绝缘结构，所述绝缘结构包括形成在位线结构和储存节点接触插塞之间的气隙，其中，储存节点接触插塞包括：第一插塞、形成在第一插塞之上的欧姆接触层、以及形成在欧姆接触层之上的第二插塞。

根据本发明的另一个实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括以下步骤：在衬底之上形成电介质层；通过刻蚀电介质层来限定开口；在开口中形成第一导电图案；在第一导电图案之上在开口的侧壁上形成牺牲间隔件；在第一导电图案之上形成欧姆接触层；在欧姆接触层之上形成第二导电图案；通过去除牺牲间隔件来限定气隙；以及在第二导电图案之上形成第三导电图案以覆盖气隙。形成第三导电图案的步骤可以包括以下步骤：在包括第二导电图案和气隙的整个表面之上形成阻挡层；在阻挡层之上形成导电层以填充开口；以及将导电层和阻挡层平坦化。阻挡层和导电层中的每个可以包括含金属材料。在形成牺牲间隔件之后，所述方法还可以包括将第一导电图案的表面凹陷的步骤。第一导电图案可以包括含硅材料。第二导电图案和第三导电图案中的每个可以包括含金属材料。欧姆接触层可以包括具有CoSi₂相的硅化钴。