[发明专利]一种非对称超薄SOIMOS晶体管结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201310478396.6 | 申请日： | 2013-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN104576381A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;张珂珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非对称超薄SOIMOS晶体管的制造方法，包括：a.提供由绝缘层(200)和半导体层(300)组成的衬底；b.在所述衬底上形成栅极叠层(304)；c.去除半导体层(300)上源区一侧的半导体材料，形成第一空位(001)；d.去除绝缘层(200)上源区及靠近源区的沟道下方的绝缘材料，形成第二空位(002)；e.在第一空位(001)和第二空位(002)处填充半导体材料，并与第二空位(002)上方的半导体材料相连；f.进行源漏区注入。与现有技术相比，本发明有效地抑制了短沟道效应的不良影响，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 超薄 soimos 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称超薄SOIMOS晶体管的制造方法，包括：a.提供由绝缘层(200)和半导体层(300)组成的衬底；b.在所述衬底上形成栅极叠层(304)；c.去除半导体层(300)上源区一侧的半导体材料，形成第一空位(001)；d.去除绝缘层(200)上源区及靠近源区的沟道下方的绝缘材料，形成第二空位(002)；e.在第一空位(001)和第二空位(002)处填充半导体材料，并与第二空位(002)上方的半导体材料相连；f.进行源漏区注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
