[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201310473656.0 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104576337A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 傅丰华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k-金属栅极结构及位于高k-金属栅极结构两侧的侧壁结构，在侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在第一层间介电层中形成连通嵌入式锗硅层的接触孔；在接触孔的侧壁上形成侧墙；在通过侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；形成完全填充接触孔的接触塞。根据本发明，在形成接触孔之后，先实施常规的形成侧墙的工艺以在接触孔的侧壁形成侧墙，再实施常规的形成自对准硅化物的工艺，可以避免其中的Siconi蚀刻工艺所引发的接触孔的侧壁与高k-金属栅极结构之间的间距缩短的问题，确保二者的有效隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k‑金属栅极结构及位于所述高k‑金属栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；在所述第一层间介电层中形成连通所述嵌入式锗硅层的接触孔；在所述接触孔的侧壁上形成侧墙；在通过所述侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；形成完全填充所述接触孔的接触塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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