[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一层间介电层和位于所述第一层间介电层中的高k-金属栅极结构及位于所述高k-金属栅极结构两侧的侧壁结构，在所述侧壁结构两侧的半导体衬底中形成有嵌入式锗硅层；

在所述第一层间介电层中形成连通所述嵌入式锗硅层的接触孔；

在所述接触孔的侧壁上形成侧墙；

在通过所述侧墙之间露出的嵌入式锗硅层上形成自对准硅化物；

形成完全填充所述接触孔的接触塞。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高k-金属栅极结构包括自下而上依次层叠的高k介电层、功函数设定金属层、阻挡层和金属栅极材料层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述高k介电层的下方形成有界面层，在所述高k介电层和所述功函数设定金属层之间形成有覆盖层，在所述阻挡层和所述金属栅极材料层之间形成有浸润层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述嵌入式锗硅层的步骤包括：采用先干法蚀刻再湿法蚀刻的工艺在所述侧壁结构两侧的半导体衬底中形成∑状凹槽；采用选择性外延生长工艺形成所述嵌入式锗硅层，以完全填充所述∑状凹槽。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述嵌入式锗硅层掺杂有硼。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述外延生长嵌入式锗硅层之后，还包括采用原位外延生长工艺在所述嵌入式锗硅层的顶部形成帽层的步骤，所述帽层的构成材料为硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述接触孔的步骤包括：在所述半导体衬底上依次形成第二层间介电层、先进图案化层、介电抗反射涂层、氧化物层、底部抗反射涂层和具有所述接触孔图案的光刻胶层，覆盖所述第一层间介电层和所述高k-金属栅极结构；采用干法蚀刻工艺依次蚀刻所述底部抗反射涂层、所述氧化物层、所述介电抗反射涂层、所述先进图案化层、所述第二层间介电层和所述第一层间介电层，直至露出所述嵌入式锗硅层终止所述蚀刻；采用灰化工艺去除所述光刻胶层、所述底部抗反射涂层、所述氧化物层、所述介电抗反射涂层和所述先进图案化层，露出所述第二层间介电层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二层间介电层的构成材料与所述第一层间介电层的构成材料相同。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述侧墙的步骤包括：在所述接触孔的侧壁和底部形成侧墙材料层；蚀刻所述侧墙材料层，露出所述接触孔的底部。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用共形沉积工艺形成所述侧墙材料层，所述侧墙材料层的材料为氮化硅，所述侧墙材料层的厚度为150-200埃。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述共形沉积工艺为原子层沉积工艺。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用侧墙刻蚀工艺实施所述蚀刻，形成的所述侧墙的厚度为80-130埃。

13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述自对准硅化物为NiPtSi。