[发明专利]后栅工艺中伪栅器件及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201310473327.6 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN104576373B | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 赵治国;朱慧珑;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 王立民,吉海莲 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种后栅工艺中伪栅器件的形成方法，包括步骤提供衬底，所述衬底上形成有栅介质层；在栅介质层上形成基本为倒梯形的伪栅极；在伪栅极的侧壁形成侧墙。通过形成基本为倒梯形的伪栅极，倒梯形的伪栅极具有更大的开口，来改善替代栅填充工艺，避免在替代栅中形成空洞，利于提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 中伪栅 器件 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种后栅工艺中伪栅器件的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，所述衬底上形成有栅介质层；在栅介质层上形成基本为倒梯形的伪栅极；在伪栅极的侧壁形成侧墙；形成基本为倒梯形的伪栅极的步骤具体为：在栅介质层上淀积伪栅极材料；在伪栅极材料上形成硬掩膜层，硬掩模层包括：氮化硅或氧化硅；以栅介质层为停止层，采用反应离子刻蚀进行过刻蚀伪栅极材料，以形成基本为倒梯形的伪栅极，过刻蚀的时间为刻蚀到停止层后继续刻蚀伪栅材料的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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