[发明专利]引线框架上的焊料阻流塞有效
| 申请号： | 201310464979.3 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103715100B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | R·克鲁兹;L·M·小卡朋特 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/495 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实施方案涉及一种制造引线框架上具有焊料阻流塞的封装电路的方法。所述方法包括在引线框架的未来区段之间的分界线处部分地蚀刻所述引线框架的内表面作为形成沟槽的第一部分蚀刻。在所述沟槽内施加可粘合至所述引线框架的非导电材料，使得所述非导电材料横跨所述沟槽延伸形成焊料阻流塞。将一个或多个组件附接至所述引线框架的内表面并包封。在所述分界线处蚀刻所述引线框架的外表面以作为第二部分蚀刻使引线框架的不同区段断开。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 框架 焊料 阻流塞 | ||
【主权项】：
一种制造引线框架上具有焊料阻流塞的封装电路的方法，所述方法包括：在所述引线框架的未来区段之间的分界线处部分地蚀刻所述引线框架的内表面作为形成沟槽的第一部分蚀刻；在所述沟槽中施加可粘合至所述引线框架的非导电材料，使得所述非导电材料与所述引线框架的在至少一侧上与沟槽相邻的内表面重叠，以形成焊料阻流塞；将一个或多个组件附接至所述引线框架的内表面；包封所述一个或多个组件和所述引线框架；以及在所述分界线处部分地蚀刻所述引线框架的外表面以作为第二部分蚀刻使引线框架的不同区段断开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
