[发明专利]引线框架上的焊料阻流塞有效
申请号: | 201310464979.3 | 申请日: | 2013-10-08 |
公开(公告)号: | CN103715100B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | R·克鲁兹;L·M·小卡朋特 | 申请(专利权)人: | 英特赛尔美国有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 框架 焊料 阻流塞 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2012年10月7日提交的美国临时申请61/710,753 号的优先权的权益,其通过引用并入本文。
技术领域
本发明通常涉及封装集成电路,尤其涉及封装集成电路的引线框架。
现有技术
传统封装电路中的引线框架具有平坦的边缘。在某些封装设计中,在回流事件期间焊料可在平坦边缘与相邻材料(比如,模具化合物或焊料掩膜材料)之间引出。这种泄漏的焊料可引起导电部分之间的无意耦合。
发明内容
一个实施方案涉及制造引线框架上具有焊料阻流塞的封装电路的方法。该方法包括在引线框架的未来区段之间的分界线处部分地蚀刻引线框架的内表面作为形成沟槽的第一部分蚀刻。所述方法还包括在沟槽内施加可粘合至引线框架的非导电材料,使得该非导电材料横跨沟槽延伸形成焊料阻流塞。一个或多个组件附接至引线框架的内表面,且该一个或多个组件和引线框架被包封。该方法还包括在分界线处部分地蚀刻引线框架的外表面以作为第二部分蚀刻使引线框架的不同区段断开。
附图简述
图1A是包括带有焊料阻流塞的引线框架的封装电路的实施方案的剖面图。
图1B是图1A的焊料阻流塞和相邻引线框架的一个实例的放大剖面图。
图2是图1A和1B中的焊料阻流塞的实施方案的剖面图。
图3是焊料阻流塞和相邻引线框架的可替代实施方案的放大剖面图。
图4是焊料阻流塞和相邻引线框架的再另一个实施方案的放大剖面图。
图5是图1中的引线框架的顶部剖面图。
图6A-6I是制造包括焊料阻流塞的封装电路的方法中的实例阶段的剖面图。
图7A是图6D中所示的引线框架中的焊料阻流塞的阶段的另一个实例的放大剖面图。
图7B是图6D中所示的引线框架中的焊料阻流塞的阶段的再另一个实例的放大剖面图。
图8是包括焊料阻流塞的封装电路的实例的平面图。
附图中主要组件的参考符号清单
100 电路
102 引线框架
102-1 引线框架的平面区段
102-2 引线框架的平面区段
102-3 引线框架的平面区段
103 外表面
105 内表面
106 管芯附接粘合剂
108 焊料阻流塞
110 焊料掩膜材料
116 组件
118 焊线
122 模制化合物
202 焊料阻流塞的主体
204 焊料阻流塞的部分
206 焊料阻流塞的部分
300 焊料阻流塞
302 焊料阻流塞的主体
304 焊料阻流塞的部分
400 焊料阻流塞
402 焊料阻流塞的主体
530 引线框架的浮动区段
532 引线框架的边缘区段
601 分界线
602 沟槽
604 镀层
608 沟槽
702 沟槽
708 焊料阻流塞
710 焊料阻流塞
712 表面
具体实施方式
图1A是包括带有焊料阻流塞108的引线框架102的封装电路100 的实施方案的剖面图。电路100的引线框架102由多个不同电隔离且通常为平面的导电材料区段102-1、102-2、102-3组成。导电材料区段102-1、102-2、102-3被定向使得区段全部具有通常为平坦的构造。每一个区段102-1、102-2、102-3包括两个主表面:外表面103和内表面105。外表面103包括多个用于将引线框架耦合至外电路的外部端子,内表面105包括一个或多个用于安装一个或多个组件116的衬垫。在实例中,导电材料区段(102-1、102-2、102-3)的一个或多个可以是浮动的,即一个或多个导电材料区段与封装电路100的封装的边缘(周边)不邻接。浮动区段的实例是图5中所示引线框架102的区段530,下面更详细地对其进行描述。引线框架102由导电材料(比如,金属)组成。在实例中,引线框架102由铜组成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特赛尔美国有限公司,未经英特赛尔美国有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310464979.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电源电路
- 下一篇:用于制备氧化锆胶体的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造