[发明专利]用于MEMS工艺中的深槽制造方法有效
| 申请号： | 201310464958.1 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103482566A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 季锋;范伟宏;闻永祥;刘琛;饶晓俊 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法，通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层，在硅衬底的背面形成一接触层；对掩蔽层进行刻蚀，形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口；第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，利用电化学腐蚀在腐蚀窗口对应的硅衬底位置处形成多孔硅层后，停止电化学腐蚀，利用多孔硅层在碱性溶液中腐蚀速率快的特点形成深槽，或者多孔硅层易于氧化后，使用第二酸性溶液去除热氧化硅层以形成深槽。本发明的腐蚀方向与晶向无关，可形成类似的U型槽，实现的设备简单、成本低廉、能达到更高的深宽比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mems 工艺 中的 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于MEMS工艺中的深槽制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上，由下至上分别形成一缓冲层和一掩蔽层；在所述硅衬底的背面形成一接触层；刻蚀形成在所述硅衬底正面的掩蔽层，以形成暴露出缓冲层表面的腐蚀窗口；采用第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，并通过电化学腐蚀在所述腐蚀窗口对应的硅衬底位置处形成多孔硅层后，停止所述电化学腐蚀，所述多孔硅层的厚度为一深槽的深度；所述第一酸性溶液去除剩余的掩蔽层和缓冲层后，使用碱性溶液去除所述多孔硅层，形成所述深槽，或者，采用热氧化工艺使所述多孔硅层成为热氧化硅层后，采用第二酸性溶液去除所述热氧化硅层、剩余的掩蔽层及缓冲层，形成所述深槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310464958.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：价格指数的显示方法和装置
- 下一篇：一种处理电子商务数据的方法和云计算系统
