[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201310461867.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103489922B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 孙宏达;成军;王美丽;孔祥永 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/28;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括基板以及设置于所述基板上的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其中，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中；和/或，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中。本发明的有益效果是该薄膜晶体管结构以及相应的阵列基板中，能够有效减缓栅极或源极和漏极因斜坡处的刻蚀缺陷所带来的负面效果，杜绝后续膜层的凸出状况或凹陷造成的不连续状况的可能，提高显示装置的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括基板以及设置于所述基板上方的栅极、同层设置的源极和漏极以及设置于所述栅极与所述源极和所述漏极之间的绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层，所述源极和所述漏极设置在所述有源层上，与所述栅极同层设置有栅极预形成层，所述栅极形成在所述栅极预形成层中，与所述源极和所述漏极同层设置有源漏预形成层，所述源极和所述漏极形成在所述源漏预形成层中，所述源极和所述漏极的厚度与所述源漏预形成层的厚度相同，所述源漏预形成层位于所述有源层上。
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