[发明专利]CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法

摘要

一种CMOS图像传感器像素结构及其形成方法，包括半导体衬底，所述半导体衬底中掺杂有第一杂质离子；位于半导体衬底内的凹槽；位于凹槽的两侧侧壁表面的隔离层；位于凹槽内的外延硅层，所述外延层覆盖所述隔离层并填充满凹槽，所述外延硅层中掺杂有第二杂质离子，第二杂质离子的导电类型与第一杂质离子的导电类型相反，所述外延硅层和半导体衬底构成光电二极管；位于外延硅层一侧的半导体衬底上的栅极结构；位于栅极结构的远离外延硅层的一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。所述CMOS图像传感器像素结构的暗电流较小。

主权项

一种CMOS图像传感器像素结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中掺杂有第一杂质离子；刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成凹槽；在凹槽的两侧侧壁表面形成隔离层，所述隔离层的顶部表面与半导体衬底的表面齐平；在形成所述隔离层后，在凹槽内形成外延硅层，所述外延层覆盖所述隔离层和凹槽两侧侧壁外侧的部分半导体衬底的表面并填充满凹槽，所述外延硅层中掺杂有第二杂质离子，第二杂质离子的导电类型与第一杂质离子的导电类型相反，所述外延硅层和半导体衬底构成光电二极管；在外延硅层一侧的半导体衬底上形成栅极结构；在栅极结构的远离外延硅层的一侧的半导体衬底内形成浮置扩散区。