[发明专利]新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺无效
| 申请号： | 201310457801.6 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103474349A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 孙莲英 | 申请（专利权）人： | 孙莲英 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212300 江苏省镇*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)单晶硅片电阻率ρn的确定及单晶硅片的结构设计；(2)两只反并联晶闸管基区之间的间距确定；(3)换向过程中P1N1P2N2晶闸管基区和P2N1P1N3晶闸管基区载流子互相扩散的问题；(4)薄基区的设计；(5)如何改善器件的高温特性和断态电压临界上升率；(6)一次扩散的浓度与结深；(7)二次扩散的浓度与结深；(8)磨角角度θ1θ2的计算。本发明体积小、重量轻、效率高、开关速度快、维护简单，且集成化电流大、功率大，可以大大提高作为下游产业控制核心的质量和档次，具有传统晶闸管所无法替代的优异性能，成为一种较理想的控制元件。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 大功率 集成 双向 晶闸管 设计 工艺 | ||
【主权项】：
新型大功率集成双向晶闸管的设计工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)、单晶硅片电阻率ρn的确定及单晶硅片的结构设计； (2)、两只反并联晶闸管基区之间的间距确定；(3)、换向过程中P1N1P2N2晶闸管基区和P2N1P1N3晶闸管基区载流子互相扩散的问题；(4)、薄基区的设计；(5)、如何改善器件的高温特性和断态电压临界上升率；(6)、一次扩散的浓度与结深；(7)、二次扩散的浓度与结深；(8)、磨角角度θ1θ2的计算。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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